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FDP036N10A中文资料

FDP036N10A图片

FDP036N10A外观图

  • 大小：660KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
  • 标准包装：400
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：120A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.6 毫欧 @ 75A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：116nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：7295pF @ 25V
  • 功率 - 最大：227W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 成形引线
  • 供应商设备封装：TO-220-3
  • 包装：管件

FDP036N10A供应商

更新时间:2022-12-31 03:53:57
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